Samsung muestra memoria CXL, procesamiento en memoria y SSD de 256 TB para cargas de IA
Samsung muestra memoria CXL, procesamiento en memoria y SSD de 256 TB para cargas de IA
La exposición técnica de Samsung en OCP 2026 combina HBM4E, LPDDR5X-PIM, expansión CXL y almacenamiento para caché KV. Sus cifras de mejora corresponden a demostraciones específicas del fabricante.
Memoria y almacenamiento como parte del mismo problema
Samsung presentó en OCP Global Summit 2026 un conjunto de tecnologías para aliviar límites de memoria en inferencia. Su página técnica reúne HBM4E, LPDDR5X con procesamiento en memoria, módulos SOCAMM2, expansión CXL CMM-D y SSD PM1763 y BM1773.
El BM1773 se describe como una unidad QLC E3.S de 256 TB. En demostraciones distintas, Samsung informa mejoras de inferencia con LPDDR5X-PIM y asignación elástica de memoria CXL para múltiples instancias de modelos.
Resultados de demostración y disponibilidad
El fabricante atribuye a una prueba con Llama 3.1 8B hasta tres veces más tokens por segundo con LPDDR5X-PIM frente a LPDDR5X convencional. Esa comparación depende del sistema evaluado y no garantiza igual mejora para todos los modelos.
La exposición agrupa tecnologías en diferentes etapas: mostrar un componente no confirma venta general ni entrega inmediata. Para dimensionar infraestructura conviene solicitar fechas de suministro, compatibilidad CXL, resistencia de SSD y pruebas con los tamaños reales de caché KV.
Fuentes y referencias
Esta publicación es una síntesis original. Consulte las fuentes primarias para información técnica completa y actualizaciones.
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