Estados Unidos propone 389 millones de dólares para I+D en semiconductores de potencia
Estados Unidos propone 389 millones de dólares para I+D en semiconductores de potencia
El Departamento de Comercio firmó cartas de intención con Helion, Commonwealth Fusion Systems, Vertical Semiconductor y Sibelco para desarrollar chips de potencia, GaN vertical y cuarzo ultrapuro.
Cuatro proyectos para energía, centros de datos y fusión
El Departamento de Comercio de Estados Unidos firmó cartas de intención por hasta 389 millones de dólares bajo la Ley CHIPS. Los proyectos abarcan semiconductores de alto voltaje para fusión, electrónica endurecida a radiación, transistores verticales de nitruro de galio y purificación de cuarzo de ultra alta pureza.
Helion podría recibir hasta 175 millones; Commonwealth Fusion Systems, 85 millones; Vertical Semiconductor, 73 millones; y Sibelco, 56 millones. Vertical Semiconductor plantea además demostrar GaN vertical en un rack de centros de datos de 2,5 MW.
Financiación condicionada
Las cifras son propuestas sujetas a premios finales, no desembolsos ejecutados. El gobierno también exigirá una participación minoritaria, no controladora y sin voto en cada empresa como condición del apoyo.
El programa busca reducir dependencias extranjeras en materiales y dispositivos de potencia. Su impacto real dependerá de hitos técnicos, capacidad de fabricación doméstica y conversión de los prototipos de I+D en procesos repetibles.
Fuentes y referencias
Esta publicación es una síntesis original. Consulte las fuentes primarias para información técnica completa y actualizaciones.
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